MOSキャパシタの耐放射線性に及ぼす電極材料の効果

吉川 正人; 伊藤 久義; 森田 洋右; 川上 和市郎; 梨山 勇*

EIM-88-121, p.35 - 43, 1988/12

MOS構造の耐放射性は、電極材料が界面に発生する応力と深い関係がある。我々は蒸着金属原子が凝集して金属膜となるときの凝集エネルギーに注目し、凝集エネルギーの高いAl、Ni、MoでMOS構造を作成し、耐放射線性に与える電極材料の影響を金属原子の凝集力という新しい視点から調べた。その結果MOS構造の耐放射性と凝集力及び金属のYoung率には密接な関係があり、Pb centerやE'centerの対数値と凝集エネルギーには直線関係のあることがわかった。その結果、MOS構造の耐放射線性には顕著な電極材料依存性があり、我々が実験したAl、Ni、Mo電極MOSキャパシタはこの順に耐放射線性のあることがわかった。また、界面に発生する応力は凝集エネルギーを尺度として整理でき、MOS構造の耐放射線性をある程度推定できる可能性のあることを示した。